IGBT Модуль SEMIKRON SKM300GAL12E4

Этот модуль от компании SEMIKRON обеспечивает эффективное и надежное переключение в широком диапазоне применений, таких как приводы электродвигателей, источники питания и преобразователи частоты.

Основные характеристики IGBT модуля SEMIKRON SKM300GAL12E4:

– Номинальное напряжение: 1200 В (постоянное)
– Номинальный ток: 300 А
– Номинальная мощность: 360 кВт
– Технология IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
– Рабочая температура: от -40 до +150 градусов Цельсия
– Корпус: Aluminium (алюминиевый)

Модуль состоит из нескольких IGBT транзисторов, соединенных параллельно, и диодов обратного восстановления, также соединенных параллельно. Это обеспечивает высокую мощность и эффективность, а также надежность и долговечность устройства.